采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40010EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17100pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40010EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17100pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40010EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17100pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：230nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
功率：375W
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120N04-1M7L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14606pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40010EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17100pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：230nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
功率：375W
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
