品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13439,"23+":357171,"MI+":2345}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3200,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R2-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:203W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3789pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13439,"23+":357171,"MI+":2345}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3200,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R2-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:203W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3789pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2500,"21+":7254}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3200,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R2-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:203W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3789pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2500,"21+":7254}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3200,"MI+":1500}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK765R2-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:203W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3789pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: