采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
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功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4LF7
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功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
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输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4LF7
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阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4LF7
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
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功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
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功率：188W
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：188W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@140µA
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N04S401ATMA1
功率：188W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：14000pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：120A
栅极电荷：176nC@10V
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阈值电压：4V@140µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4LF7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL260N4F7
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功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL260N4F7
功率：188W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.1mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：72nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：5000pF@25V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：120A
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