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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
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功率：3.8W€341W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJQ148E-T1_GE3
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功率：325W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：81，"22+"：13771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
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连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
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生产批次：{"21+"：81，"22+"：13771}
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规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
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连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：81，"22+"：13771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148E-T1_GE3
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功率：325W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
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栅极电荷：86nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"21+"：81，"22+"：13771}
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规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
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ECCN：EAR99
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输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
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生产批次：{"21+"：81，"22+"：13771}
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漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：20082pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
连续漏极电流：375A
栅极电荷：330nC@4.5V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
功率：3.8W€341W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：20082pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：0.59mΩ@195A，10V
连续漏极电流：375A
栅极电荷：330nC@4.5V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ148E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：325W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL7472L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：330nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20082pF@25V
连续漏极电流：375A
类型：N沟道
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