采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
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输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：450，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5080pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：450，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5080pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：440}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1404ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：81nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：370A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
