品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M35-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1804pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":156,"20+":13600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7660-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M35-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1804pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M35-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1804pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M35-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:13.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1804pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: