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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 1200V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:1200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:707pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:567W

    阈值电压:2.7V@50mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:9335pF@800V

    连续漏极电流:157A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@100A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R060M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R060M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@13A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12050T4 起订1个装
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12050T4 起订1个装

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12050T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:344W

    阈值电压:3.2V@6mA

    栅极电荷:120nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2750pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R007M1HXKSA1 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R007M1HXKSA1 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:750W

    阈值电压:5.2V@47mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:9170nF@25V

    连续漏极电流:225A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@108A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R014M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R014M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA120R014M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:455W

    阈值电压:5.2V@23.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:4580nF@25V

    连续漏极电流:127A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:510W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2943pF@800V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@60A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1527pF@800V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@16A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R140M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R140M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:5.7V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:454pF@800V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@6A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL040N120SC1 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:348W

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL080N120SC1A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R350M1HXKSA1 起订120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R350M1HXKSA1 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:5.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:182pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R007M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA120R007M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:750W

    阈值电压:5.2V@47mA

    栅极电荷:220nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:9170nF@25V

    连续漏极电流:225A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@108A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:5.7V@1.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:312pF@800V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:294mΩ@4A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R220M1HXTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:5.7V@1.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:312pF@800V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:294mΩ@4A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L020N120SC1 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":40}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:510W

    阈值电压:4.3V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2943pF@800V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@60A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R045M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@7.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1527pF@800V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@16A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMBG120R040M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R030M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R030M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R030M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:5.7V@10mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2120pF@800V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@25A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R030M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R030M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R030M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:5.7V@11.5mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2290pF@800V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@25A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT12N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:365W

    阈值电压:2.69V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:219nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:5873pF@800V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1154pF@800V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1789pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L022N120M3S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:352W

    阈值电压:4.4V@20mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:3175pF@800V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@40A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订131个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订131个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:468mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG014N120M3P 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG014N120M3P 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG014N120M3P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:454W

    阈值电压:4.63V@37mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:337nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6313pF@800V

    连续漏极电流:104A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@74A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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