品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":323}
规格型号(MPN):FDBL0240N100
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
栅极电荷:111nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:210A
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:3.5W€300W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":860}
销售单位:个
包装规格(MPQ):489psc
规格型号(MPN):FQPF19N10
导通电阻:100mΩ@6.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:13.6A
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:39mΩ@18A,10V
连续漏极电流:31A
类型:N-Channel
输入电容:1690pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
功率:3W€110W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
功率:130W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI530GPBF
连续漏极电流:9.7A
输入电容:670pF@25V
导通电阻:160mΩ@5.8A,10V
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
功率:375W
ECCN:EAR99
输入电容:10870pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:5100pF@50V
漏源电压:100V
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF8010PBF
导通电阻:15mΩ@45A,10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
输入电容:3830pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:260W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":15000}
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
导通电阻:18mΩ@33A,10V
类型:N沟道
功率:140W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2930pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI1310NPBF
功率:56W
类型:N-Channel
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:36mΩ@13A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
输入电容:1900pF@25V
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:N-Channel
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB4110PBF
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@76A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N-Channel
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF510PBF
输入电容:180pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5.6A
功率:43W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
导通电阻:4.7mΩ@106A,10V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:215nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:9575pF@50V
功率:375W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF045N10A
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@67A,10V
输入电容:5270pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):IRF1310NPBF
栅极电荷:110nC@10V
连续漏极电流:42A
功率:160W
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF530PBF
输入电容:670pF@25V
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:26nC@10V
功率:88W
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N-Channel
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2850}
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:39mΩ@18A,10V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
输入电容:1690pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
功率:3W€110W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
功率:6.5W€120W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF
功率:3.8W€160W
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7769L2TR
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:300nC@10V
类型:N-Channel
功率:3.3W€125W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@74A,10V
输入电容:11560pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF520PBF
输入电容:360pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: