品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":11221,"MI+":2030}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":11221,"MI+":2030}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4910pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: