品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":12320,"19+":18000,"22+":1050,"MI+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6600N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€56.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":12320,"19+":18000,"22+":1050,"MI+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":12320,"19+":18000,"22+":1050,"MI+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y113-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
导通电阻:110mΩ@6.6A,10V
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6600N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€56.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6600N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€56.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:146mΩ@6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: