采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD180N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2155，"23+"：7544，"MI+"：2466}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD180N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：50，"22+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI180N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI180N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI180N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP180N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD180N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD180N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
