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    类型: N沟道
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    当前匹配商品:500+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":19425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2432pF@12.5V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G 起订891个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G 起订891个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":20,"06+":2175,"9999":140,"MI+":2206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2925}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118 起订1069个装
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118 起订1069个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":72}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD108NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1375pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD03N03LA G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD78N03-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€64W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@12V

    连续漏极电流:11.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@78A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":4950}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD03N03LA G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8256TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@13V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:172W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:60.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4327pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2550}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4856N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.33W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2241pF@12V

    连续漏极电流:13.3A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03R-001 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03R-001 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3540}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD40N03R-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.78nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:584pF@20V

    连续漏极电流:7.8A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118 起订1156个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118 起订1156个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03R 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03R 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2250}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD65N03R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@20V

    连续漏极电流:9.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":355000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RG 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RG 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":8591}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1800}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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