采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y40-55B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y40-55B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M35-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：13.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1804pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：156，"20+"：13600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7660-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：104W
阈值电压：5.7V@3.3mA
栅极电荷：19nC@18V
包装方式：管件
输入电容：624pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@11.2A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y40-55B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M35-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：13.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1804pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y40-55B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M35-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：13.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1804pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R090M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：5.7V@3.7mA
栅极电荷：21nC@18V
包装方式：管件
输入电容：707pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
