采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7253，"13+"：7356}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9407L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4004LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€180W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4450pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
