品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€127W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15296}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI530N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1193}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPI21N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:4V@44µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:865pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":87,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@11A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15296}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI530N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@11A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":87,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@11A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1460}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1460}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: