品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:23nC@15V
包装方式:管件
输入电容:724pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M45-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:317pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y65-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1023pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y65-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1523pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:63.3mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y65-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1023pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: