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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    连续漏极电流: 12A
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTD3055V 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTD3055V 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTD3055V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    功率:3.9W€48W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:150mΩ@6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1 起订75个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1 起订75个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):STD12NF06L-1

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    栅极电荷:10nC@5V

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    功率:42.8W

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1250pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:30nC@10V

    功率:6.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    功率:1.5W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订14个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订14个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76407D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76407D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76407D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06L-1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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