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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2618L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€23.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@30V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2618L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€23.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@30V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
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输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2618L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€23.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@30V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
功率：3.5W€33W
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
功率：3.5W€33W
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
功率：3.5W€33W
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H864NLT1G
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：7A€22A
功率：3.5W€33W
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：2V@20µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：431pF@40V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2618L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€23.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@30V
连续漏极电流：7A€22A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
