品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB029N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@118µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL325N4LF8AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7657pF@25V
连续漏极电流:373A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL325N4LF8AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7657pF@25V
连续漏极电流:373A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL325N4LF8AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7657pF@25V
连续漏极电流:373A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L011ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@30V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB037N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC023N08NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.8V@115µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@40V
连续漏极电流:202A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@20V
连续漏极电流:110A€194A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S401ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: