品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF13N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8305,"23+":25027,"24+":1585,"MI+":17588}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":685,"19+":14031}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI3306GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4685pF@50V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"23+":38611,"MI+":41339}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8305,"23+":25027,"24+":1585,"MI+":17588}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: