品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2432pF@12.5V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:28nC@5V
包装方式:管件
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14136}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB29N08T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,11V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14136}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB29N08T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,11V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:5.7V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@1000V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.5A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@18A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: