品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4,"22+":1050,"23+":4458}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2145pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N028ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3V@24µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.86mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N028ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3V@24µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.86mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2145pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1721pF@25V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2145pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":226,"23+":8906}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N028ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.86mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M10-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1231pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1721pF@25V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40052EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2145pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4,"22+":1050,"23+":4458}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2145pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: