品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9609-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4633pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":289}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1393pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14055,"23+":1928}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14055,"23+":1928}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
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连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:5.7V@7.5mA
栅极电荷:41nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1393pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":289}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1393pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9609-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4633pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA220N08S5N021AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:3.8V@120µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7219pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: