品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2875,"21+":14000,"22+":18203,"9999":426}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1324pF@15V
连续漏极电流:84A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2875,"21+":14000,"22+":18203,"9999":426}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2875,"21+":14000,"22+":18203,"9999":426}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2875,"21+":14000,"22+":18203,"9999":426}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4110GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:290nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9540pF@50V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@43A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1760pF@12V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: