品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM300C12P3E201
工作温度:-40℃~150℃
功率:1360W
阈值电压:5.6V@80mA
包装方式:散装
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM100UM45DAG
工作温度:-40℃~150℃
功率:5000W
阈值电压:5V@30mA
栅极电荷:1602nC@10V
包装方式:散装
输入电容:42700pF@25V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@107.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM300C12P3E201
工作温度:-40℃~150℃
功率:1360W
阈值电压:5.6V@80mA
包装方式:散装
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VMO650-01F
工作温度:-40℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:6V@130mA
栅极电荷:2300nC@10V
包装方式:散装
输入电容:59000pF@25V
连续漏极电流:690A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APTML100U60R020T1AG
工作温度:-40℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@10A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: