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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 74nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM043NB04CZ 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM043NB04CZ 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM043NB04CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4928pF@20V

    连续漏极电流:16A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@15V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订97个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP450LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":123,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订428个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03MSGATMA1 起订428个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":12614,"23+":24142}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP450LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":415}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF190N60-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF20N60 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":260,"23+":2588}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":415}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF190N60-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@15V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@15V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP450LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH25N60N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":430}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH25N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:216W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3352pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP450LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订125个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP450LCPBF 起订125个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP450LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC025N03LSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC025N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@15V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOK20N60L 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOK20N60L 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOK20N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3680pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:370mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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