品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":76,"21+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":45984,"24+":27166}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF27S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1294pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6382
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:1.85mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF720PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: