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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.7mΩ

    输入电容:2425pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    功率:6.25W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:62.5A€100A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:8445pF@20V

    栅极电荷:194nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304DDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304DDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304DDS-T1-BE3

    输入电容:235pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.3A€3.6A

    功率:1.1W€1.7W

    栅极电荷:6.7nC@10V

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS402DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    功率:3.8W€52W

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:35A

    输入电容:1700pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    功率:3.57W€26.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH402DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3

    连续漏极电流:19A€35A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6mΩ@19A,10V

    功率:3.8W€52W

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1700pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    功率:3.57W€26.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:56nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR500DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR500DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.47mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:85.9A€350.8A

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:6.25W€104.1W

    栅极电荷:180nC@10V

    输入电容:8960pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:30.9A€40A

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS04DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:4460pF@15V

    功率:5W€65.7W

    类型:N沟道

    栅极电荷:93nC@10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:50.5A€80A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS454DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS454DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    功率:3.8W€52W

    栅极电荷:53nC@10V

    输入电容:1900pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:35A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:985pF@15V

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:219A

    导通电阻:1.04mΩ

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:100W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS06DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:3660pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    功率:3.7W€36W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA04DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA04DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    连续漏极电流:19.7A€20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    功率:3.57W€26.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2425pF@15V

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    功率:5W€40W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR500DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR500DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:0.47mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:85.9A€350.8A

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:6.25W€104.1W

    栅极电荷:180nC@10V

    输入电容:8960pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:3.8W€52W

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA10DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.7mΩ

    输入电容:2425pF@15V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4630DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:161nC@10V

    功率:3.5W€7.8W

    输入电容:6670pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA10DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA10DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA10DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2425pF@15V

    导通电阻:3.7mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    连续漏极电流:30A

    功率:3.6W€39W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    功率:3.6W€31.2W

    连续漏极电流:58A

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    输入电容:1450pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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