品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:1.56W€2.8W
连续漏极电流:3.9A€3.9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
功率:2.8W
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:770pF@15V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:17A€57A
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7410
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
功率:3.1W€20W
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:9.5A€24A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3009LFVWQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:823pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A€50A
栅极电荷:12nC@10V
功率:2.3W€35.7W
导通电阻:11mΩ@14.4A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:2.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7410
功率:20W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:24A
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:405pF@15V
功率:2.4W€5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4178DY-T1-GE3
导通电阻:17mΩ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
连续漏极电流:12A
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:405pF@15V
功率:2.4W€5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7410
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:20mΩ@8A,10V
功率:3.1W€20W
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:9.5A€24A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4128DY-T1-GE3
连续漏极电流:10.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:435pF@15V
功率:2.4W€5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:435pF@15V
ECCN:EAR99
功率:3.2W€15.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:1.56W€2.8W
连续漏极电流:3.9A€3.9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:1.56W€2.8W
连续漏极电流:3.9A€3.9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:770pF@15V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:17A€57A
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:435pF@15V
ECCN:EAR99
功率:3.2W€15.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4128DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:17mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4128DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:10.9A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7410
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:24A
类型:N-Channel
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N-Channel
导通电阻:24mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: