品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":3799}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7483MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3913pF@25V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@81A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@50V
连续漏极电流:31A€126A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1350}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@50V
连续漏极电流:31A€126A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB13N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1910pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: