采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL20N6F7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3W€78W
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.4mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024TRPBF-BE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
连续漏极电流：4.1A
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
