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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8330TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€35W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:17A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5708DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5708DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:975pF@75V

    连续漏极电流:9.3A€33.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA466EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA466EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@1V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8051L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8051L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8051L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8882 起订993个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4645}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订542个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1 起订542个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":823}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

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