采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86201
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2735pF@60V
连续漏极电流：11.6A€49A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@11.6A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：140W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：68790，"14+"：189550}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N50ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1095pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS011N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€147W
阈值电压：4.5V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3592pF@75V
连续漏极电流：10.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：650}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4007-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N450HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：80Ω@50mA，10V
漏源电压：4500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2535pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@2.4mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP6NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
