采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@31A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@31A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@31A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN22M5UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3926pF@10V
连续漏极电流：24A€27A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
