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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
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栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4816，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
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功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
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输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
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输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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