采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP126，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：7.8nC@4.5V
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2302CX RFG
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：587pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：3.9A
栅极电荷：7.8nC@4.5V
导通电阻：65mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
