采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：74nC@10V
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连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
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功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
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连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
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连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
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输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
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功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
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功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
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类型：N沟道
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包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
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连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
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连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1W
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包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
包装方式：袋
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
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包装方式：卷带（TR）
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阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1W
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栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
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功率：1W
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栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
连续漏极电流：14.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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