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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
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    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订1050个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订1050个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订150个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订150个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订76个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订76个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:76
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订96个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订96个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订450个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订450个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KEA-TP

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    输入电容:33pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:180mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:24+

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@16V

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    功率:300mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@16V

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    功率:300mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@16V

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    功率:300mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@16V

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    功率:300mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订27个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订27个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    输入电容:110pF@16V

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    功率:300mW

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2013UFDE-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2013UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2453pF@10V

    导通电阻:11mΩ@8.5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:10.5A

    栅极电荷:25.8nC@8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:24+

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KE-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KE-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1779pF@10V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTE4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVE4153NT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVE4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3134KWA-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3134KWA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1779pF@10V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4153NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4153NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@16V

    连续漏极电流:915mA

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UFB4-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UFB4-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:240mA

    导通电阻:

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
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