采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.15A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
