采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7656AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
功率：2.5W€96W
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
栅极电荷：133nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3006SDC
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：5725pF@15V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
功率：3.3W€89W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
功率：2.5W€36W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
导通电阻：5mΩ@18A，10V
输入电容：1815pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.5W€59W
输入电容：3550pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：26A€49A
栅极电荷：57nC@10V
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：4008809，"17+"：273，"MI+"：58162}
规格型号(MPN)：FDS6670AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：1540pF@15V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：9mΩ@13.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：12.5A€18A
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1385pF@15V
功率：2.3W€27W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：59264，"07+"：7328，"08+"：8095，"10+"：7232，"11+"：190，"13+"：7175，"14+"：10458，"MI+"：1614}
规格型号(MPN)：FDS6690AS
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
输入电容：910pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8023S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.5W€59W
输入电容：3550pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：26A€49A
栅极电荷：57nC@10V
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312AS
功率：2.5W€36W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
导通电阻：5mΩ@18A，10V
输入电容：1815pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
功率：2.5W€36W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
导通电阻：5mΩ@18A，10V
输入电容：1815pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
栅极电荷：47nC@10V
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0306AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.5W€59W
输入电容：3550pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：26A€49A
栅极电荷：57nC@10V
导通电阻：2.4mΩ@26A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：12.5A€18A
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1385pF@15V
功率：2.3W€27W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：12.5A€18A
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1385pF@15V
功率：2.3W€27W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：59264，"07+"：7328，"08+"：8095，"10+"：7232，"11+"：190，"13+"：7175，"14+"：10458，"MI+"：1614}
规格型号(MPN)：FDS6690AS
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
输入电容：910pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0300S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
功率：2.5W€96W
输入电容：8705pF@15V
连续漏极电流：31A€49A
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
功率：2.5W
栅极电荷：41nC@10V
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0309AS
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
栅极电荷：47nC@10V
输入电容：3000pF@15V
连续漏极电流：21A€49A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8026S
功率：2.4W€36W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：4.4mΩ@19A，10V
连续漏极电流：19A€21A
栅极电荷：52nC@10V
输入电容：3165pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：12641，"12+"：6000，"13+"：24000，"14+"：30000}
规格型号(MPN)：FDMS8026S
漏源电压：30V
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2280pF@15V
类型：N沟道
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：19A€22A
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D4N03S
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：163A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：6540pF@15V
栅极电荷：88nC@10V
导通电阻：1.8mΩ@28A，10V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：2102}
规格型号(MPN)：FDMS8670S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：73nC@10V
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
功率：2.5W€78W
ECCN：EAR99
输入电容：4000pF@15V
连续漏极电流：20A€42A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：18000}
规格型号(MPN)：FDMC8678S
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
功率：2.3W€41W
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7692S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：9.3mΩ@12.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：12.5A€18A
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1385pF@15V
功率：2.3W€27W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：6120pF@15V
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
连续漏极电流：26A€42A
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1063，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2280pF@15V
类型：N沟道
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：19A€22A
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：19A€42A
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
功率：2.5W€46W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
