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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 250V
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
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    操作
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2625K4-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2625K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:7.04nC@1.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1A,0V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2710 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2710

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7280pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:2.8A€4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP17NF25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP126,115 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP126,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB33N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH110N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@55A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR692DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1405pF@125V

    连续漏极电流:24.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@10A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ50N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ50N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ50N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:78nC@10V

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH76N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH76N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH76N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC16DN25NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC16DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@32µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA40N25 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA40N25 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA40N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP42N25P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP42N25P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP42N25P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:84mΩ@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS139H6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS139H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@56µA

    栅极电荷:3.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:14Ω@100µA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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