采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH18N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
