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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 150V
    当前匹配商品:2000+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC160N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.6V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:64.6A€56.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5LFATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5LFATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.9V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4.6V@107µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3230pF@75V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@44A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@35A,10

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2955pF@75V

    连续漏极电流:9.3A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订302个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订302个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1191,"23+":81}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP45N15V2 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP45N15V2 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP45N15V2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3030pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订670个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7451TRPBF 起订670个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7451TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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