采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6008NBKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW€1.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@30V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@300mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1L002SNTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS870Q-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
