采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
