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    IXYS Mosfet场效应管 IXFN24N100 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN24N100 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN24N100

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:568W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:267nC@10V

    输入电容:8700pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX24N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDQ60R022S7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):750psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:416W

    阈值电压:4.5V@1.44mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5639pF@300V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@23A,12V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB150N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1999pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":154}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB150N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1985pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N90P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N90P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@12A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R095C7ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT24F50B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT24F50B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT24F50B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3630pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@11A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EFT1-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6266E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF125N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTPF125N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTPF125N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@2.1mA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2200pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP24N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2060pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2M 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP24N65X2M 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP24N65X2M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2060pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP125N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP125N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP125N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:181W

    阈值电压:4.5V@2.4mA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订89个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1 起订89个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N80P 起订60个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N80P 起订60个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH24N50 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH24N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC500N20NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC500N20NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@60µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@22A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB24N65EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB24N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2774pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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