品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":10000,"9999":173}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN34LN,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@20V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@2.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K0CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K0CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":36000,"17+":60000,"19+":26995,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K0CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: