品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:50A
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4200pF@10V
功率:5.2W€104W
漏源电压:20V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIE822DF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@18.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: