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    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 3.8A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202N L6327 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202N L6327 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202N L6327

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:Reel

    输入电容:1147pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL2705TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL2705TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL2705TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订34个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订34个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI4N62K3 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STI4N62K3 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI4N62K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.9A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4930NTBG 起订943个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4930NTBG 起订943个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":1896,"14+":22250,"18+":71990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4930NTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.5mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF 起订75个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF 起订75个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL2705TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL2705TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL2705TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3150L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3150L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3424 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF 起订2025个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF 起订2025个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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