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    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:2.93nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:258pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K3C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.1W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K3C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.1W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEAKMA1 起订3125个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R3K0CEAKMA1 起订3125个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R3K0CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:84pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@400mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7400 起订30000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7400 起订30000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R3K3C6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R3K3C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18.1W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@100V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5632N-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5632N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBF20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBF20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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